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| 品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 綜合 |
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Beam Imaging離子槍系統真空組件
Beam Imaging Solutions （BIS） 提供兩種離子槍系統類型。每個噴槍都包括一個離子源組件、散熱器、加速和聚焦系統、垂直偏轉板、一個 6 英寸長的速度過濾器和一個速度過濾器保護環控制單元。組件組裝在裝有法蘭的真空外殼中，用于安裝到客戶的設備上。保護環控制單元可以安裝到標準的 19 英寸機架面板中。如果需要，可以訂購定制法蘭和附加端口。當噴槍需要光束減速器時，包括一個適配器法蘭（型號 G-1-D 和 G-2-D 離子槍）。Beam Imaging 還為上述離子槍系統提供控制單元（E 系列）?？刂茊卧ú僮麟x子噴槍所需的所有電源以及用于離子源和真空計控制的冷卻裝置。所有離子束組件也可單獨或成套提供（離子源、散熱器、速度過濾器、提取和聚焦透鏡系統）。這些完整的套件稱為離子束套件。
G-1 型可在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）的能量范圍內運行。如果需要小于 500 eV 的離子束能量，我們建議使用 G-1-D 型，其中包括 400 型或 450 型減速器，可以產生能量低至 1 eV 的質量選擇離子束。G-1 系列型號的真空外殼由拋光不銹鋼管制成，直徑為 6 英寸，長約 19 英寸。長度包括 500 型絕緣子安裝法蘭。G-1-D 的總長度為 23 1/8 英寸，與 400 型或 450 型減速器一起使用。兩個離子槍外殼都配有一個 6“ ID 粗加工端口。G-1 和 G-1-D 型的標準出口法蘭是 8 英寸外徑和 6 英寸內徑的同平法蘭。然而，G-1-D 型在與減速器一起使用時有一個 2 3/4 英寸的出口法蘭（僅限 400 型）。G-1 和 G-1-D 型都適合真空至 10-7Torr 的 Var，而不是為 bakeout 設計的。
G-2 和 G-2-D 離子槍均設計為在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）能量范圍內運行。然而，G-2-D 離子槍有可選的 400 型或 450 型減速器，可在低至 1 eV 的電壓下使用。G-1 和 G-2 系列離子槍之間有兩個區別。G-2 離子槍設計為可烘烤至 200oC，用于超高真空 （UHV） 系統。速度過濾器上的磁線圈封裝在不銹鋼護套中，并采用液體冷卻，因此允許更高的電流和磁場強度。BIS 建議使用 CU-1 冷卻裝置進行磁體和離子源冷卻。G-2 和 G-2-D 的尺寸分別與 G-1 和 G-1-D 相同。G-2 和 G-2-D 的設計都適合真空到 10-9托。
| 分辨率 | 米/天 米 ~ 400 |
|---|---|
| 離子電流 | 高達 20 微安聚焦，100 微安非聚焦 |
| 離子源 （DC） | 燈絲 16 V – 20 A，陽極 0 – 150 V，0.4 A |
| 離子源 （RF） | 0-500 瓦，13.56 MhZ |
| 鏡頭系統 | 0 – 10 kV，1 mA 加速電壓，0 – 10 kV，0.5 mA 聚焦電壓 |
| 垂直偏轉板 | 0 – 400 伏，1mA |
| Velocity Filter Magnet | G-1 型：9.5 V，3 A，G-2 型：28 V，14 A 連續運行 |
| 速度過濾器偏轉板 | 0 – 350 V， 50 mA （浮動輸出） |
| 型 | G-1、G-1-D、G-2、G-2-D |
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