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美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源

簡要描述:美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源:NGI3000
設(shè)計用于通過離子濺射清潔表面,光束能量高達3 keV,典型離子電流高達30μA。

  • 產(chǎn)品型號:NGI3000
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2025-12-17
  • 訪  問  量:1036

詳細介紹

品牌其他品牌貨號/
規(guī)格常規(guī)供貨周期一個月
主要用途原子/分子分離裝置

美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源:NGI3000


圖片1.png


LK-Technologies強大,流行的離子源設(shè)計用于通過離子濺射清潔表面,光束能量高達3 keV,典型離子電流高達30μA。該噴槍采用了一種新穎的氣體噴射系統(tǒng),該系統(tǒng)允許在典型的1×10 -6托的腔室壓力下進行濺射。


離子源(英文名稱:Ion source)是使中性原子或分子電離,并從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質(zhì)譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設(shè)備的部件。


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氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞,帶電粒子束使工作物質(zhì)濺射以及表面電離過程都能產(chǎn)生離子,并被引出成束。根據(jù)不同的使用條件和用途,已研制出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎(chǔ)的,常被籠統(tǒng)地稱為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來產(chǎn)生離子的,也有廣泛的用途。新型重離子源的出現(xiàn),使重離子的電荷態(tài)顯著提高,其中較成熟的有電子回旋共振離子源(ECR)和電子束離子源(EBIS)。負離子源性能較好的有轉(zhuǎn)荷型和濺射型兩種。在一定條件下,基于氣體放電過程的各種離子源,都能提供一定的負離子束流。


離子源是一門具有廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的學科,在許多基礎(chǔ)研究領(lǐng)域如原子物理、等離子化學、核物理等研究中,離子源都是十分重要的設(shè)備。


圖片1.png


美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源


氣體注入系統(tǒng)避免了昂貴的差動泵送設(shè)備


低室壓下的惰性氣體濺射

寬離子束確保均勻濺射

與普通濺射清潔和ISS應(yīng)用兼容

連續(xù)可調(diào)諧的電壓從200 V到3 kV

帶USB或以太網(wǎng)接口的數(shù)字控制電子設(shè)備



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